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嵌入式非揮發式記憶體IP設計力旺 (3529) 今(17)日宣布，與晶圓製造商宏力半導體，透過共享資源設計平台，擴大合作範圍，將發展多元嵌入式非揮發式記憶體解決方案，力旺開發出的單次可程式OTP(NeoBit)，與多次可程式MTP(NeoFlash/NeoEE)等eNVM技術，將全面導入宏力半導體製程平台，而宏力也將投入OTP與MTP IP設計服務，未來可藉低成本、高效能之優勢，嘉惠MCU與消費性電子產品客戶。

力旺表示，與宏力在2005年起就在OTP製程平台展開合作，近期雙方推出0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP製程平台，已有數10項產品相繼投入量產，此次雙方擴展合作範圍，除包含原有的OTP製程平台，更擴大導入至MTP領域，預計將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台，強化技術服務支援廣度，滿足不同需求。

目前宏力與力旺合作之0.18微米邏輯與高電壓OTP製程平台已完成建置，並進入量產階段多年；而0.13微米OTP製程平台，預計今年底前將通過可靠度驗證，0.18微米之MTP製程平台則預計在明年第 1 季通過可靠度驗證，屆時將能提供更豐富的嵌入式非揮發性記憶體矽智財。

宏力企業發展與戰略暨法務單位副總裁傅城表示，結合力旺之技術與服務支援能力，宏力將能提供客戶極具競爭優勢之低成本嵌入式非揮發性記憶體製程平台，包括OTP與MTP技術，為客戶降低製造與研發成本，加速產品上市時間。未來宏力將持續發展高附加價值的差異化製程，協助客戶在微控制器與消費性電子市場中掌握先機。

力旺總經理沈士傑表示，力旺與宏力展開更深入的合作，將使力旺之單次可程式OTP (NeoBit)，與多次可程式MTP (NeoFlash/NeoEE)等eNVM技術，能全方位導入宏力之各製程平台，再加上宏力在NVM IP設計服務工作的投入，為客戶帶來更具競爭性的嵌入式非揮發性記憶體解決方案，未來雙方將持續緊密合作，提供市場更具成本效益且性能卓越之嵌入式非揮發性記憶體平台。